AL1885 Piastra di base IGBT in carburo di silicio e alluminio AlSiC

Descrizione della piastra di base IGBT in carburo di silicio e alluminio

L'AlSiC è stato utilizzato per la prima volta nel substrato dei chip dei radar militari statunitensi per sostituire il rame al tungsteno. Dopo la sostituzione, l'effetto di dissipazione del calore è eccellente e la perdita di peso complessiva del radar è di 10 kg, il che fa sì che il materiale in carburo di alluminio-silicio attiri l'attenzione. I moduli IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) ad alta corrente generano una grande quantità di calore durante il funzionamento. Il materiale AlSiC è solitamente utilizzato per fabbricare il substrato IGBT e il modulo IGBT ad alta potenza è saldamente imballato, in modo che il chip possa essere utilizzato in presenza di vibrazioni, alte temperature e polvere. La piastra di base IGBT in alluminio-carburo di silicio è molto leggera, pesa solo 1/3 del rame, ma la sua resistenza alla flessione è pari a quella dell'acciaio. Ciò la rende eccellente nelle prestazioni sismiche, superando il substrato di rame. Pertanto, nell'imballaggio elettronico ad alta potenza, le piastre di base IGBT in carburo di silicio e alluminio sono materiali insostituibili grazie alla loro combinazione unica di elevata conduttività termica, basso coefficiente di espansione termica e resistenza alla flessione.

Specifiche della piastra base IGBT in alluminio e carburo di silicio

Applicazioni della piastra di base IGBT in alluminio e carburo di silicio

Lapiastra di base IGBT in carburo di silicio di alluminio trova le seguenti applicazioni:

-Elettrodomestici,
-Trasporto,
-Ingegneria energetica
-Energia rinnovabile
-Griglia intelligente
-Controllo del traffico
-Conversione di potenza
-Motori industriali
-Ininterrotti
-Forniture di energia
-Apparecchiature eoliche e solari
-Convertitori di frequenza per controllo automatico

Imballaggio della piastra di base IGBT in alluminio e carburo di silicio

Utilizziamo il sigillo sottovuoto per riempire il cartone e prevenire gli urti. Viene prestata la massima attenzione per evitare qualsiasi danno che potrebbe essere causato durante lo stoccaggio o il trasporto della piastra di base IGBT in carburo di silicio di alluminio.