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  • CY2536 Substrati a cristallo singolo di silicio-germanio (Si-Ge)

    • CY2536 Substrati a cristallo singolo di silicio-germanio (Si-Ge)

    Catalogo no. CY2536
    Dimensione 4" di diametro x 0,5 mm
    Materiale Si-Ge（2 wt% Ge）
    Orientamento <100> ±0.5°
    Metodo di crescita Processo di cristallizzazione

    Isubstrati a cristallo singolo di silicio-germanio (Si-Ge) sono stati ampiamente utilizzati grazie alle loro eccellenti proprietà. Stanford Advanced Materials (SAM) vanta un'esperienza di oltre due decenni nella produzione e vendita di substrati a cristallo singolo di silicio-germanio (Si-Ge).

    Correlato: Substrato di cristallo LiAlO2, Substrato di cristallo LAST, Substrato di cristallo LiF, Substrato di cristallo NdGaO3.

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    CY2536 Silicon-Germanium (Si-Ge) Single Crystal Substrates
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