CY3307 Wafer epitassiale SiC-GaN EPI

Catalogo no.	CY3307
Materiale del substrato	SiC
Diametro	4, 5, 6, 8 pollici
Spessore dell'epi-strato, µm	0.1-100
Orientamento	<100>, <111>
Spessore del substrato (um)	300-725

Wafer epitassiale SiC-GaN EPI si riferisce a un film sottile di semiconduttore cresciuto su un substrato. Stanford Advanced Materials (SAM) ha una ricca esperienza nella produzione e fornitura di prodotti ottici di alta qualità.

Prodotti correlati: Wafer epitassiale di zaffiro Wafer EPI, Wafer SOI, Wafer di carburo di silicio

Richiesta

sc/1619085288-normal-epitaxial-wafer-sic-gan-epi.jpg

Descrizione

Specificazione

ULTIMO RACCOMANDATO

sc/1638327002-normal-magnesium-fluoride-crystal.jpg

CY0104 Cristallo di fluoruro di magnesio (cristallo MgF2)

CY0106 Cristallo di fluoruro di bario

CY0474 Cristalli legati alla diffusione

CY0476 Ortovanadato di ittrio drogato di neodimio (Nd:YVO4)

CY0477 Ortovanadato di gadolinio drogato di neodimio (Nd:GdVO4)

CY0478 Nd:YAG (granato di alluminio e ittrio drogato con neodimio)

CY0479 Nd:KGW (cristallo di potassio-gadolinio tungstato drogato al neodimio)

CY0481 Ti:Zaffiro (cristallo di zaffiro drogato con titanio)

OP0482 Granato di ittrio-alluminio drogato (Yb:YAG)

Richiedi un preventivo

Inviaci una richiesta ora per scoprire ulteriori informazioni e gli ultimi prezzi, grazie!

* Il suo nome

* La sua email

* Nome del prodotto

* Il vostro telefono

* Paese

Stati Uniti

Commenti

* Codice di controllo

Diametro del wafer		4"	5"	6"	8"
Strato EPI	Dopante	Boro, fosforo, arsenico
	Orientamento	<100>, <111>
	Tipo di conducibilità	P/P++, N/N++, N/N+, N/N+/N++, N/P/P, P/N/N+
	Resistività	0,001-50 Ohm-cm
	Res. Uniformità	Standard <6%, Capacità massima <2%
	Spessore (um)	0.1-100
	Uniformità dello spessore	Standard <3%, capacità massima <1%
Substrato	Orientamento	<100>, <111>
	Tipo di conducibilità/dopante	Tipo P/Boron, Tipo N/Phos, Tipo N/As, Tipo N/Sb
	Spessore (um)	300-725
	Resistività	0,001-100 Ohm-cm
	Condizione della superficie	P/P, P/E
	Particella	<50@.0.5um

Diametro del wafer		4"	5"	6"	8"
Strato EPI	Dopante	Boro, fosforo, arsenico
	Orientamento	<100>, <111>
	Tipo di conducibilità	P/P++, N/N++, N/N+, N/N+/N++, N/P/P, P/N/N+
	Resistività	0,001-50 Ohm-cm
	Res. Uniformità	Standard <6%, Capacità massima <2%
	Spessore (um)	0.1-100
	Uniformità dello spessore	Standard <3%, capacità massima <1%
Substrato	Orientamento	<100>, <111>
	Tipo di conducibilità/dopante	Tipo P/Boron, Tipo N/Phos, Tipo N/As, Tipo N/Sb
	Spessore (um)	300-725
	Resistività	0,001-100 Ohm-cm
	Condizione della superficie	P/P, P/E
	Particella	<50@.0.5um

CY3307 Wafer epitassiale SiC-GaN EPI

Descrizione del wafer epitassiale SiC-GaN EPI

Specifiche del wafer epitassiale SiC-GaN EPI

Applicazioni dei wafer epitassiali SiC-GaN EPI

Imballaggio di wafer epitassiali SiC-GaN EPI

Specificazione

Scheda tecnica

ULTIMO RACCOMANDATO

Richiedi un preventivo

HAI BISOGNO DI AIUTO?

LA NOSTRA AZIENDA

CATEGORIE POPOLARI