Descrizione del wafer di ossido di gallio
Il wafer di ossido di gallio, a differenza di SiC o GaN, ha un'elevata resistenza alla tensione, un ampio band gap e un basso costo di produzione. Il wafer di ossido di gallio è un semiconduttore di quarta generazione. Viene utilizzato principalmente per alimentare dispositivi elettronici come i veicoli elettrici. Esistono cinque fasi cristalline di Ga2O3, ma il beta-Ga2O3 è l'unico che può esistere stabilmente ad alte temperature.
Specifiche dei wafer di ossido di gallio
Grado
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Grado primario
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Dimensioni
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D25,4mm-50,8mm, lunghezza 5mm-15mm
(Le dimensioni speciali sono disponibili su richiesta)
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Distanza tra le bande
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4,8~4,9eV
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Orientamento
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<201> <010>
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Resistività elettrica (300K)
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>1E6 Ohm*cm
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Tipo di cristallo
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Monoclino
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Costante dielettrica
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10
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Densità
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5,95/cm3
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Punto di fusione
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1725℃
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Spessore
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0,5~0,8 mm
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Lucidatura
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Epi-ready, RMS < 0,5 nm sulla faccia Ga, lucidatura ottica sulla faccia O
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Applicazioni dei wafer di ossido di gallio
Utilizzato nell'elettronica ad alta potenza.
Utilizzato nell'elettronica ad alta frequenza.
Utilizzato come substrato per transistor ad alta mobilità elettronica (HEMT).
Utilizzato nei rivelatori UV, nei LED e nei sensori di gas.
Imballaggio dei wafer di ossido di gallio
I nostri wafer di ossido di gallio sono trattati con cura durante lo stoccaggio e il trasporto per preservare la qualità del prodotto nelle sue condizioni originali.