Descrizione del substrato in cristallo singolo di antimoniuro di gallio
L'antimoniuro di gallio (GaSb) è uno dei materiali semiconduttori, appartenente alla famiglia III-V, con un gap energetico di 0,726 ev e una costante reticolare di 0,61 nm. L'antimoniuro di gallio può essere utilizzato come rivelatore a infrarossi, diodo a emissione di luce infrarossa, transistor, diodo laser, ecc.
Specifiche del substrato di cristallo singolo di antimoniuro di gallio
Numero CAS
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12064-03-8
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Formula molecolare
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GaSb
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Peso molecolare
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191.48
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Aspetto
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Substrato a cristallo singolo
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Densità
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5,619 g/mL
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Punto di fusione
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710°C
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Odore
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Inodore
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Diametro
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2"
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3"
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4"
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Mobilità (cm2V-1S-1)
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600-700
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Concentrazione del portatore (cm-3)
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(1-2)*1017
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Diametro (mm)
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50.5±0.5
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76.2±0.5
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100.0±0.5
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Spessore (μm)
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500±25
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600±25
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800±25
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Orientamento
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(100) / (111) ±0.5°
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Lunghezza del piano primario (mm)
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16±2
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22±2
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32.5±2
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Lunghezza bordo di posizionamento secondario (mm)
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8±1
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11±1
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18±1
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TTV (μm)
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<10
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<10
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<20
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Arco(μm)
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<10
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<10
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<20
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Ordito(μm)
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<15
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<15
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<20
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Applicazioni del substrato di cristallo singolo di antimoniuro di gallio
- Comunicazioni in fibra ottica (FOC)
- Rivelatori a infrarossi, LED e laser a infrarossi e transistor
- Componenti di fotoresistenze e altri compositi in cui è auspicabile un elevato indice di rifrazione
- Diodo laser
Informazioni sulla sicurezza
Simbolo
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 GHS07, GHS09
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Parola segnale
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Avvertenza
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Indicazioni di pericolo
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H302 + H332-H411
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Consigli di prudenza
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P273
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Dispositivi di protezione personale
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Maschera antipolvere tipo N95 (US), Occhiali, Guanti
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RIDADR
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UN 3077 9 / PGIII
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WGK Germania
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2
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