SC0957 Vassoi in carburo di silicio (vassoi SiC)

Catalogo no.	SC0957
Dimensione	<40cm (15")
Materiale	Grafite, con rivestimento SiC CVD
La purezza	>99,99% per il rivestimento in SiC
Superficie	Porosità zero
Spessore del rivestimento	50~500μm

Stanford Advanced Materials (SAM) è un fornitore e produttore di fiducia di SiC sinterizzato di alta qualità, SiC legato per reazione e SiC ricristallizzato. Forniamo vassoi di carburo di silicio di elevata purezza a prezzi competitivi. La personalizzazione è disponibile su richiesta.

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SC0957 Silicon Carbide Trays (SiC Trays)

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	SiC ricristallizzato	SiC sinterizzato	SiC legato per reazione
Purezza del carburo di silicio	99.5%	98%	>88%
Temperatura di lavoro max. Temperatura di lavoro (`C)	1650	1550	1300
Densità apparente (g/cm3)	2.7	3.1	>3
Aspetto Porosità	<15%	2.5	0.1
Resistenza alla flessione (MPa)	110	400	380
Resistenza alla compressione (MPa)	>300	2200	2100
Espansione termica (10^-6/`C)	4.6 (1200`C)	4.0 (<500`C)	4.4 (<500`C)
Conduttività termica (W/m.K)	35~36	110	65
Caratteristiche principali	Resistenza alle alte temperature Elevata purezza	Durezza alla frattura	Resistenza chimica

	SiC ricristallizzato	SiC sinterizzato	SiC legato per reazione
Purezza del carburo di silicio	99.5%	98%	>88%
Temperatura di lavoro max. Temperatura di lavoro (`C)	1650	1550	1300
Densità apparente (g/cm3)	2.7	3.1	>3
Aspetto Porosità	<15%	2.5	0.1
Resistenza alla flessione (MPa)	110	400	380
Resistenza alla compressione (MPa)	>300	2200	2100
Espansione termica (10^-6/`C)	4.6 (1200`C)	4.0 (<500`C)	4.4 (<500`C)
Conduttività termica (W/m.K)	35~36	110	65
Caratteristiche principali	Resistenza alle alte temperature Elevata purezza	Durezza alla frattura	Resistenza chimica

SC0957 Vassoi in carburo di silicio (vassoi SiC)

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