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CY2426 Substrati di cristallo di carburo di silicio (SiC)

Catalogo no. CY2426
Dimensione 10x10x0,33 mm o personalizzato
Superficie Lucidato, un lato epi lucidato sulla faccia Si
Orientamento <0001> +/-0.5
Metodo di crescita MOCVD

Una varietà di dimensioni del substrato di cristallo di carburo di silicio SiC può essere offerta da Stanford Advanced Materials (SAM). Abbiamo un team di vendita professionale per offrire una risposta veloce entro 24 ore e un servizio caldo.

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CY2426 Silicon Carbide (SiC) Crystal Substrates
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