GR0976 Vassoi di grafite rivestiti di carburo di silicio

Descrizione dei vassoi di grafite rivestiti di carburo di silicio

Ivassoi di grafite rivestiti di carburo di silicio sono realizzati rivestendo la superficie della grafite isotropica altamente purificata con un sottile strato di carburo di silicio mediante il processo di deposizione chimica da vapore (CVD). I vassoi di grafite rivestiti di SiC sono ampiamente utilizzati nei semiconduttori e nei rivestimenti.

Il processo CVD garantisce una purezza estremamente elevata e una densità teorica del rivestimento in SiC senza porosità. Inoltre, poiché il carburo di silicio è molto duro, può essere lucidato fino a ottenere una superficie a specchio. Il rivestimento in carburo di silicio (SiC) CVD offre numerosi vantaggi, tra cui una superficie ad altissima purezza e un'estrema resistenza all'usura. Poiché i prodotti rivestiti hanno ottime prestazioni in condizioni di alto vuoto e alta temperatura, sono ideali per applicazioni nell'industria dei semiconduttori e in altri ambienti ultra-puliti.

Stanford Advanced Materials fornisce anche vassoi di grafite rivestiti di carburo di silicio.

Specifiche dei vassoi di grafite rivestiti di carburo di silicio

Vantaggi dei vassoi di grafite rivestiti di carburo di silicio

• Lo strato di carburo di silicio è molto duro e stabile alle alte temperature. Ha un'eccellente resistenza all'ossidazione, alla corrosione e agli agenti chimici.
• La grafite rivestita di SiC impedisce la separazione e la dispersione delle particelle di grafite, nonché l'emissione di gas e impurità nella matrice di grafite.

Applicazioni dei vassoi di grafite rivestiti di carburo di silicio

• Il rivestimento in carburo di silicio CVD è già stato applicato nelle industrie dei semiconduttori, come i vassoi MOCVD, RTP e le camere di incisione dell'ossido, poiché il nitruro di silicio ha una grande resistenza agli shock termici e può sopportare il plasma ad alta energia.
• Il carburo di silicio è ampiamente utilizzato nei semiconduttori e nei rivestimenti.