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Catalogo no. | CY3458 |
Dimensione | Lunghezza 6-8 mm, spessore. 0,1-0,4 mm |
Metodo di crescita | Tecnica della zona di galleggiamento |
La purezza | >99.995% |
Costanti reticolari | a=b=0.398nm,c=18.89nm,α=β=90°,γ=120° |
Ilcristallo In2Se3 è un semiconduttore con un bandgap in cristallo singolo di 1,41eV. Stanford Advanced Materials (SAM) ha una ricca esperienza nella produzione e nella fornitura di prodotti ottici di alta qualità.
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