SC1670 Metodi di macinazione in carburo di silicio, SiC

Catalogo no.	SC1670
Dimensione	Diametro: 1~30 mm
Materiale	Ceramica SiC
La purezza	97%~99%
Densità	3,05~3,15 g/cm3

Stanford Advanced Materials (SAM) è un fornitore e produttore di fiducia di prodotti di macinazione in SiC sinterizzato, SiC legato per reazione e SiC ricristallizzato di alta qualità. Forniamo sfere di rettifica in carburo di silicio di elevata purezza con diametri che vanno da 1 mm a 30 mm. La personalizzazione è disponibile su richiesta.

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	SiC ricristallizzato	SiC sinterizzato	SiC legato per reazione
Purezza del carburo di silicio	99.5%	98%	>88%
Temperatura di lavoro max. Temperatura di lavoro (`C)	1650	1550	1300
Densità apparente (g/cm3)	2.7	3.1	>3
Aspetto Porosità	<15%	2.5	0.1
Resistenza alla flessione (MPa)	110	400	380
Resistenza alla compressione (MPa)	>300	2200	2100
Espansione termica (10^-6/`C)	4.6 (1200`C)	4.0 (<500`C)	4.4 (<500`C)
Conduttività termica (W/m.K)	35~36	110	65
Caratteristiche principali	Resistenza alle alte temperature. Elevata purezza	Durezza alla frattura	Resistenza chimica

	SiC ricristallizzato	SiC sinterizzato	SiC legato per reazione
Purezza del carburo di silicio	99.5%	98%	>88%
Temperatura di lavoro max. Temperatura di lavoro (`C)	1650	1550	1300
Densità apparente (g/cm3)	2.7	3.1	>3
Aspetto Porosità	<15%	2.5	0.1
Resistenza alla flessione (MPa)	110	400	380
Resistenza alla compressione (MPa)	>300	2200	2100
Espansione termica (10^-6/`C)	4.6 (1200`C)	4.0 (<500`C)	4.4 (<500`C)
Conduttività termica (W/m.K)	35~36	110	65
Caratteristiche principali	Resistenza alle alte temperature. Elevata purezza	Durezza alla frattura	Resistenza chimica

SC1670 Metodi di macinazione in carburo di silicio, SiC

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