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Catalogo no. | CY3528 |
Materiale | ZrGeTe4 |
Dimensione | Dimensioni 4-5 mm |
Struttura cristallina | Fase tetragonale |
Metodo di produzione | Zona di flusso |
Ilcristallo ZrGeTe4 è un semiconduttore anisotropo stratificato con un bandgap previsto di 0,4 eV. Stanford Advanced Materials (SAM) ha una ricca esperienza nella produzione e fornitura di prodotti a semiconduttore di alta qualità.
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