CY3454 Substrato di SiO2/Si rivestito di Ni

Catalogo no.	CY3454
Composizioni	Ni, SiO2, Si
La purezza	＞99.99%
Dimensione	4", 10x10x0,5 mm o personalizzato
Finitura superficiale	Un lato lucidato
Orientamento	<100> ±0.5°

Ilsubstrato SiO2/Si rivestito di Ni può essere utilizzato nel campo delle nanotecnologie, nella microscopia elettronica a scansione (SEM), nella microscopia a forza atomica (AFM) e in altri campi del microscopio a scansione. Stanford Advanced Materials (SAM) ha una ricca esperienza nella produzione e fornitura di prodotti ottici di alta qualità.

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Spessore del film di nichel	100nm
Cristallinità del film	<111> - policristalli orientati
Dimensioni	Diametro 4" +/- 0,5 mm, o personalizzato 0,525 +/- 0,025 mm di spessore
Finitura superficiale	Un lato lucidato
Tipo di conduttore	Tipo Si P, drogato B
SiO2 Spessore	300 nm
Resistività	1-20 ohm-cm
Orientamento	<100> ±0.5°

Spessore del film di nichel	100nm
Cristallinità del film	<111> - policristalli orientati
Dimensioni	Diametro 4" +/- 0,5 mm, o personalizzato 0,525 +/- 0,025 mm di spessore
Finitura superficiale	Un lato lucidato
Tipo di conduttore	Tipo Si P, drogato B
SiO2 Spessore	300 nm
Resistività	1-20 ohm-cm
Orientamento	<100> ±0.5°

CY3454 Substrato di SiO2/Si rivestito di Ni

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